温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明揭示一种磁性隧穿结装置及制造方法。在一特定实施例中，所述方法包括：在磁性隧穿结结构的自由层（１１０）上沉积封盖材料（１１２），以形成封盖层；及氧化所述封盖材料的一部分以形成氧化材料层。...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。