【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】方法
本专利技术大体上涉及磁性隧道结(MTJ)装置及制造，且特定言的，涉及并入有封盖层的MTJ结构。
技术介绍
可使用MTJ元件产生磁性随机存取存储器(MRAM)。通常，MTJ元件包括钉扎层、磁性隧道势垒，及自由层，其中位值由在所述自由层中的磁矩表示。MTJ元件存储的位值是通过自由层的磁矩相对于钉扎层所载运的固定磁矩的方向的方向而确定。所述钉扎层的磁化为固定的，而自由层的磁化可切换。当电流流经MTJ元件时，自由层的磁化方向可在电流超过阈值(S卩，临界切换电流 (Ic))时改变。根据J ·斯隆泽维斯基(J. Sloneczewski)的自旋力矩转移模型，I。与自由层的有效阻尼常数(α)、饱和磁化(Ms)及厚度(tfree)成比例，即Ic α Ms tftee。降低临界切换电流使得STT-MRAM技术的低功率消耗及较小芯片面积成为可能，其可通过减小α、MS及而实现。具体来说，减少α可不使MTJ的热稳定性ΦΒ)降级，然而，因为& Mstf_， 所以&可能随着Ms及的减少而退化。大体来说，薄铁磁性金属膜(例如自由层)的有效阻尼常数很大程度上可受膜及周围层的...
【技术保护点】
１．一种设备，其包含：磁性隧穿结装置，其包含：势垒层；自由层；及封盖层，其中所述自由层经定位于所述势垒层与所述封盖层之间，且其中所述封盖层包括第一金属部分及氧化金属部分。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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