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本发明涉及一种在混合衬底上制造元件的方法。该方法包括以下步骤：提供绝缘体上半导体（ＳｅＯＩ）类型的衬底（１），该衬底（１）包括支撑衬底（１１）和薄层（１３）之间的掩埋氧化物层（１２），在所述衬底（１）中形成多个沟道（３，３’），该沟道在所述...该专利属于Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司所有，仅供学习研究参考，未经过Ｓ．Ｏ．Ｉ．ＴＥＣ绝缘体上硅技术公司授权不得商用。
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本发明涉及一种在混合衬底上制造元件的方法。该方法包括以下步骤：提供绝缘体上半导体（ＳｅＯＩ）类型的衬底（１），该衬底（１）包括支撑衬底（１１）和薄层（１３）之间的掩埋氧化物层（１２），在所述衬底（１）中形成多个沟道（３，３’），该沟道在所述...