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本发明提供一种挠性半导体装置。本发明的挠性半导体装置具有：支承层、形成于支承层之上的半导体结构部、和形成于半导体结构部之上的树脂膜而被构成。本发明的挠性半导体装置中，由激光的照射所形成的孔径部被形成于树脂膜上；在所述树脂膜的孔径部，形成有与...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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