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用以减少在集成电路内的静电放电保护的占用面积的方法和装置制造方法及图纸
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下载用以减少在集成电路内的静电放电保护的占用面积的方法和装置的技术资料
文档序号:7128342
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一种输入/输出(I/O)电路(100),其中具有一第一N通道金属氧化半导体(NMOS)场效晶体管(FET)(104),此者是藉一硅化物区块(102)而耦接于该输入脚针(110)。一第一P通道金属氧化半导体(PMOS)FET(106)是经直接...
该专利属于吉林克斯公司所有,仅供学习研究参考,未经过吉林克斯公司授权不得商用。
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