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本发明提供一种ｐ型ＳｉＣ半导体元件的欧姆电极，其包括由Ｔｉ３ＳｉＣ２制成并且直接形成在ｐ型ＳｉＣ半导体的表面上的欧姆电极层。本发明还提供一种形成ｐ型ＳｉＣ半导体元件的欧姆电极的方法。所述欧姆电极包括欧姆电极层，该欧姆电极层由Ｔｉ３ＳｉＣ２制...
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