欧姆电极及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种ｐ型ＳｉＣ半导体元件的欧姆电极，其包括由Ｔｉ３ＳｉＣ２制成并且直接形成在ｐ型ＳｉＣ半导体的表面上的欧姆电极层。本发明专利技术还提供一种形成ｐ型ＳｉＣ半导体元件的欧姆电极的方法。所述欧姆电极包括欧姆电极层，该欧姆电极层由Ｔｉ３ＳｉＣ２制成并且直接形成在ｐ型ＳｉＣ半导体的表面上。该方法包括：在ｐ型ＳｉＣ半导体的表面上以原子组成比例Ｔｉ∶Ｓｉ∶Ｃ为３∶１∶２的方式来包括Ｔｉ、Ｓｉ和Ｃ的三元混合膜，以制造层压膜；以及在真空下或者在惰性气体气氛下对所制造的层压膜退火。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种P型SiC半导体元件的。更具体地，本专利技术涉及一种包括由Ti3SiC2制成的欧姆电极层、具有改进的表面平滑性并且直接形成在P型 SiC半导体上的P型SiC半导体元件的欧姆电极以及其形成方法。
技术介绍
SiC单晶是非常好的热稳定性和化学稳定性、具有高的机械强度，并且抗辐射。此外，与Si(硅)单晶相比，SiC单晶具有极佳的物理特性，诸如高击穿电压和高热传导性。此外，容易通过将掺杂剂添加到SiC单晶而将SiC单晶的导电性类型电子地控制为P型导电性或η型导电性。而且，SiC单晶具有宽带隙(4Η型SiC单晶具有大约3.;3eV的带隙，且6Η 型SiC单晶具有大约3. OeV的带隙)。因此，通过使用SiC单晶，可以实现高温、高频、高压和耐环境的半导体器件，而这样的半导体器件是不能使用诸如Si单晶和砷化镓(GaAs)单晶的其他现有半导体材料来制造。因而，期望将SiC单晶用作下一代半导体材料。已知的是，要将半导体器件投入实际使用，必需有呈现良好的欧姆特性的电极， 即，欧姆电极。呈现欧姆特性的欧姆电极是呈现这样的电流-电压特性的电极，其中，不管电流流动的方向和电压的大小如何，电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ｐ型ＳｉＣ半导体元件的欧姆电极，包括：欧姆电极层，所述欧姆电极层由Ｔｉ３ＳｉＣ２制成，并且直接形成在ｐ型ＳｉＣ半导体的表面上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：关章宪，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：JP