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公开了一种光电子半导体器件，其具有适于发射辐射的有源层（４），该有源层被包覆层（３ａ，３ｂ）包围，其中包覆层（３ａ，３ｂ）和／或有源层（４）具有含铟的磷化物半导体材料并且磷化物半导体材料包含元素Ｓｂ或Ｂｉ中的至少一种作为第Ｖ主族的附加元素。...
该专利属于欧司朗光电半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过欧司朗光电半导体有限公司授权不得商用。

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