温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

在制造ＳｉＣ单晶的方法中，通过使ＳｉＣ晶种与溶液接触从而在所述ＳｉＣ晶种上生长ＳｉＣ单晶，所述ＳｉＣ晶种被固定至可旋转的晶种固定轴，所述溶液通过在可旋转的坩埚内将碳溶于含硅的熔融液中而制得。所述方法包括：开始晶种固定轴的旋转，并在预定的延迟...
该专利属于丰田自动车株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过丰田自动车株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。