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本发明公开了一种硼化镧掺杂的氧化物半导体材料及应用。硼化镧掺杂的氧化物半导体材料是在通过氧化锌基材料中掺入硼化镧实现。应用硼化镧掺杂的氧化物半导体材料制备的薄膜晶体管包括基板、栅极、绝缘层、沟道层、源极和漏极；栅极位于基板上部，绝缘层覆盖在...
该专利属于华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学;广州新视界光电科技有限公司授权不得商用。

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