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本发明涉及一种用于多级存储相变存储器的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜。本发明的Ge2Sb2Te5/Ga30Sb70纳米多层复合相变薄膜材料中单层Ge2Sb2Te5薄膜和单层Ga30Sb70薄膜交替排列成多层膜结构，...
该专利属于同济大学所有，仅供学习研究参考，未经过同济大学授权不得商用。

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