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本发明公开一种半导体装置、固态成像装置及其制造方法以及电子设备。该半导体装置包括构造为形成在半导体衬底上的元件隔离区域，其中该元件隔离区域由多级沟槽形成，该多级沟槽中堆叠具有不同直径的沟槽，并且下层沟槽开口部分的直径小于上层沟槽底部的直径。...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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