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一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法技术
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文档序号:7105761
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本发明公开了一种通过肖特基测试图形检测GaN基HEMT可靠性的方法,该方法通过制作不同直径的肖特基阵列图形,对其进行变频和变电压的电容电压曲线的测量,通过缺陷同电容电压曲线的变化关系,分别确定器件的缺陷密度和时间常数,实现对GaN基HEMT...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。
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