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本发明公开了一种半导体装置的元件隔离结构及其形成方法，该方法包括：准备半导体基底，该半导体基底具有限定在半导体基底上的无源区和有源区；在半导体基底上形成第一硬掩模；通过将第一硬掩模图案化来暴露半导体基底的无源区；在包括第一硬掩模的半导体基底...
该专利属于美格纳半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过美格纳半导体有限公司授权不得商用。

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