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本发明涉及用于半导体领域的直拉单晶硅材料，特别适用于光电领域的连续单晶硅固体实体材料。现有的直拉单晶硅材料，其性能对包括金属、氧、碳等的杂质和重掺的III、V族杂质的耐受性较差，并含有包括漩涡缺陷和氧致堆垛层错缺陷在内的多种缺陷，本发明提出...
该专利属于赵钧永所有，仅供学习研究参考，未经过赵钧永授权不得商用。

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