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一种掺杂的铸造多晶硅及制备方法技术
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文档序号:7098367
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本发明涉及用于半导体领域的多晶硅实体,特别适用于光电领域的连续铸造多晶硅固体实体。现有的铸造多晶硅,其性能对包括金属、氧、碳等的杂质和重掺的III、V族杂质的耐受性较差,并含有密度较高的多种缺陷,本发明提出了一种掺杂有氧、碳、氮、锗的半导体...
该专利属于赵钧永所有,仅供学习研究参考,未经过赵钧永授权不得商用。
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