温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提供了一种LDMOS晶体管结构及其形成方法，所述LDMOS晶体管结构包括：半导体衬底；覆盖所述半导体衬底的外延层；位于所述外延层上的相邻接的栅介质层和场氧化层；栅电极，覆盖所述栅介质层并延伸至所述场氧化层上；位于所述栅电极一侧的外延层...
该专利属于上海先进半导体制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海先进半导体制造股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。