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本实用新型涉及热氢化C-C热场，属于四氯化硅热氢化设备。属于多晶硅生产领域。其碳碳复合材料多气腔结构置于底盘上，碳碳复合材料多气腔结构分为上、下两部，其结构相同，在下部结构的四周按120度均匀地设置有三个进气口，多气腔结构上、下部结构板材间...
该专利属于陕西天宏硅材料有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过陕西天宏硅材料有限责任公司授权不得商用。

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