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本发明涉及一种硅纳米管的制作方法，包括以下步骤：在硅片上热氧化生长二氧化硅层，在二氧化硅层上依次沉积多晶硅和氮化硅；刻蚀氮化硅和多晶硅，形成顶部覆盖有氮化硅的多晶硅线；边旋转硅片边以一倾斜角度对多晶硅线进行离子注入；去除多晶硅线上的氮化硅；...
该专利属于上海华力微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力微电子有限公司授权不得商用。

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