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本发明提供一种清洗半导体基底和一种形成栅介质层的方法。所述清洗半导体基底的方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底上含有碱性金属；通入卤代烃，去除所述碱性金属；通入清洗气体，去除所述卤代烃的残留物。所述形成栅介质层的方法包括：提供半导体基片...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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