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本发明公开了一种薄膜场效应晶体管，包括第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层、欧姆接触层、第二绝缘层、第二导电层、保护层以及透明导电层。本发明还涉及一种薄膜场效应晶体管的制作方法。本发明的薄膜场效应晶体管以及制作方法采用3次光刻工序即可完成整个T...
该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。

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