温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种薄膜场效应晶体管,包括第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层、欧姆接触层、第二绝缘层、第二导电层、保护层以及透明导电层。本发明还涉及一种薄膜场效应晶体管的制作方法。本发明的薄膜场效应晶体管以及制作方法采用3次光刻工序即可完成整个T...该专利属于深圳市华星光电技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过深圳市华星光电技术有限公司授权不得商用。
温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开了一种薄膜场效应晶体管,包括第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层、欧姆接触层、第二绝缘层、第二导电层、保护层以及透明导电层。本发明还涉及一种薄膜场效应晶体管的制作方法。本发明的薄膜场效应晶体管以及制作方法采用3次光刻工序即可完成整个T...