薄膜场效应晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜场效应晶体管，包括第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层、欧姆接触层、第二绝缘层、第二导电层、保护层以及透明导电层。本发明专利技术还涉及一种薄膜场效应晶体管的制作方法。本发明专利技术的薄膜场效应晶体管以及制作方法采用3次光刻工序即可完成整个TFT的制作，节约TFT的制作成本以及节省TFT的制作时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制作领域，特别是涉及一种可以减少光刻次数的薄膜场效应晶体管以及制作方法。
技术介绍
薄膜场效应晶体管(TFT，thin film transistor)已大量应用于液晶显示器的制造中。在一般的TFT制程中，共有5道工序，每一道工序都需要经过上光阻、曝光、显影、腐蚀以及剥离，经过上述5次重复的工序就可以完成整个TFT的制作。但在这些工序中，上光阻、曝光以及显影工序所需要耗费的时间较长，为整个TFT制作过程的瓶颈，并且曝光工序中曝光机以及光刻板等部件耗费成本较高。因此5道重复的上光阻、曝光、显影、腐蚀以及剥离的工序大大增加了 TFT的制作成本以及制作时间。故，有必要提供一种薄膜场效应晶体管以及制作方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种采用3次光刻工序即可完成整个TFT的制作，节约TFT的制作成本以及节省TFT的制作时间的薄膜场效应晶体管以及制作方法。以解决现有技术的薄膜场效应晶体管以及制作方法采用5次光刻工序完成整个TFT的制作造成TFT的制作成本的增加以及制作时间的延长的技术问题。本专利技术构造了一种薄膜场效应晶体管的制作方法，其中包括步骤S10、形成第一分层结构于基板上，所述第一分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层；S20、沉积第一光阻层，以进行图形化处理；S30、沉积第二绝缘层，并对所述第一光阻层进行去光阻处理，同时移除所述第二绝缘层，且在所述薄膜场效应晶体管的位置上露出所述欧姆接触层；S40、依次沉积第二导电层和保护层；S50、沉积第二光阻层， 并使用半透性光刻板进行图形化处理；S60、沉积透明电极层及第三光阻层，对所述透明电极层进行图形化处理。在本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法中，在步骤S50的所述图形化处理中， 在所述薄膜场效应晶体管的通道的位置露出非晶硅层，并使所述第二导电层形成所述薄膜场效应晶体管的源极层以及漏极层。在本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法中，在步骤S60的所述图形化处理中， 所述透明电极层与所述漏极层的侧壁或所述源极层的侧壁连接。在本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法中，所述步骤SlO还包括形成第二分层结构于基板上，所述第二分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层。在本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法中，所述步骤S20还包括在所述第二分层结构上沉积第一光阻层，并使用半透性光刻板对所述第二分层结构上的所述第一光阻层进行图形化处理。在本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法中，在步骤S20的所述图形化中将所述第二分层结构上的所述第一绝缘层露出。在本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层为氮化硅。在本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法中，所述透明电极层为氧化锡铟层。本专利技术的另一个目的在于提供一种薄膜场效应晶体管，其中包括基板，以及从下向上依次形成在所述基板上的第一导电层，第一绝缘层，非晶硅层，欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层上相互分离的第一区域和第二区域；第二绝缘层，位于所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述非晶硅层及所述欧姆接触层的侧边；第二导电层，包括源极层以及漏极层，所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接，所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接；保护层位于所述源极层以及所述漏极层上；以及透明导电层位于所述保护层及所述第二绝缘层上，并与所述源极层或所述漏极层电性连接。本专利技术的另一个目的在于提供一种薄膜场效应晶体管，其中包括具有第一分层区域以及第二分层区域的基板，所述薄膜场效应晶体管还包括从下向上依次形成在所述第一分层区域上的第一导电层，第一绝缘层，非晶硅层，欧姆接触层，所述欧姆接触层位于所述非晶硅层上相互分离的第一区域和第二区域；第二绝缘层，位于所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述非晶硅层及所述欧姆接触层的侧边；第二导电层，包括源极层以及漏极层， 所述源极层与所述第一区域的欧姆接触层连接，所述漏极层与所述第二区域的欧姆接触层连接；保护层位于所述源极层以及所述漏极层上；以及透明导电层位于所述保护层及所述第二绝缘层上，并与所述源极层或所述漏极层电性连接；所述薄膜场效应晶体管还包括 从下向上依次形成在所述第二分层区域上的所述第一导电层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层以及所述透明导电层。本专利技术的有益效果是相对于现有技术，本专利技术采用3次光刻工序即可完成整个TFT的制作，节约TFT的制作成本以及节省TFT的制作时间。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下附图说明图1为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第一优选实施例的具有第一分层结构的制作结构图之一；图2为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第一优选实施例的具有第一分层结构的制作结构图之二；图3为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第一优选实施例的具有第一分层结构的制作结构图之三；图4为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第一优选实施例的具有第一分层结构的制作结构图之四；图5为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第一优选实施例的具有第一分层结构的制作结构图之五；图6为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第一优选实施例的具有第一分层结构的制作结构图之六；图7为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第一优选实施例的具有第一分层结构的制作结构图之七；图8为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第一优选实施例的具有第一分层结构的制作结构图之八；图9为本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法的第一优选实施例的制作流程图；图10为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之一；图11为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之二；图12为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之三；图13为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之四；图14为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之五；图15为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之六；图16为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之七；图17为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之八；图18为本专利技术的薄膜场效应晶体管的第二优选实施例的具有第一分层结构和第二分层结构的制作结构图之九；图19为本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法的第二优选实施例的制作流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。本专利技术的薄膜场效应晶体管的制作方法利用浮离技术以及使用半透性光刻板图形化相应的沉积层(例如第一光阻层或第二光阻层等)以达到仅以三次光刻工序完成整个 TFT的制作，本专利技术的第一优选实施例通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：Ｓ１０、形成第一分层结构于基板上，所述第一分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层；Ｓ２０、沉积第一光阻层，以进行图形化处理；Ｓ３０、沉积第二绝缘层，并对所述第一光阻层进行去光阻处理，同时移除所述第二绝缘层，且在所述薄膜场效应晶体管的位置上露出所述欧姆接触层；Ｓ４０、依次沉积第二导电层和保护层；Ｓ５０、沉积第二光阻层，并使用半透性光刻板进行图形化处理；Ｓ６０、沉积透明电极层及第三光阻层，对所述透明电极层进行图形化处理。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤S10、形成第一分层结构于基板上，所述第一分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层；S20、沉积第一光阻层，以进行图形化处理；S30、沉积第二绝缘层，并对所述第一光阻层进行去光阻处理，同时移除所述第二绝缘层，且在所述薄膜场效应晶体管的位置上露出所述欧姆接触层； S40、依次沉积第二导电层和保护层；S50、沉积第二光阻层，并使用半透性光刻板进行图形化处理；S60、沉积透明电极层及第三光阻层，对所述透明电极层进行图形化处理。2.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤S50的所述图形化处理中，在所述薄膜场效应晶体管的通道的位置露出非晶硅层，并使所述第二导电层形成所述薄膜场效应晶体管的源极层以及漏极层。3.根据权利要求2所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤S60的所述图形化处理中，所述透明电极层与所述漏极层的侧壁或所述源极层的侧壁连接。4.根据权利要求1所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤SlO还包括形成第二分层结构于所述基板上，所述第二分层结构从下到上依次为第一导电层、第一绝缘层、非晶硅层以及欧姆接触层。5.根据权利要求4所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述步骤S20还包括在所述第二分层结构上沉积第一光阻层，并使用半透性光刻板对所述第二分层结构上的所述第一光阻层进行图形化处理。6.根据权利要求5所述的薄膜场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在步骤S20的所述图形化中将所述第二分层结构上的所述第一绝缘层露出。7.根据权利要求1所述的薄膜场...

【专利技术属性】
技术研发人员：張驄瀧，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94