温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：刻蚀衬底以形成沟槽；在所述沟槽之下的衬底中形成结区；将所述沟槽的底部刻蚀至一定的深度以形成侧结；及形成与所述侧结耦接的位线。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。