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一种CMOS图像传感器及其形成方法，所述CMOS图像传感器包括：半导体衬底，位于所述半导体衬底表面的外延层；位于所述外延层表面的栅极结构；位于所述栅极结构一侧的外延层内的漏区；位于所述栅极结构另一侧的外延层内的轻掺杂区，位于所述轻掺杂区和栅...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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