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浮空埋层绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统IGBT器件结构的基础上，在器件具有第一导电类型的漂移区内引入一到多层连续或不连续的第二导电类型浮空埋层，通过第二导电类型浮空埋层引入的空间电荷及附加电场的调制...
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