一种具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管制造技术

浮空埋层绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明专利技术在传统IGBT器件结构的基础上，在器件具有第一导电类型的漂移区内引入一到多层连续或不连续的第二导电类型浮空埋层，通过第二导电类型浮空埋层引入的空间电荷及附加电场的调制作用，在第一导电类型的漂移区内引入新的电场尖峰，在相同的器件漂移区厚度下，可大大提高IGBT器件的击穿电压；在一定的击穿电压下，可大大减小IGBT器件漂移区的厚度，从而大大减小器件的正向导通压降和关断时间。同时浮空埋层引入的空间电荷的作用，可抑制器件关断时的雪崩击穿，提高IGBT器件的动态击穿电压和反向安全工作区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体器件
，涉及绝缘栅双极型晶体管(IGBT)，更具体的说，涉及浮空埋层IGBT器件。
技术介绍
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOS场效应和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，广泛应用在诸如机车牵引、电动汽车、风力发电、UPS电源、空调等领域的变频调速逆变装置中。从IGBT专利技术以来，人们一直致力于改善IGBT三个重要并且相互矛盾的参数正向导通压降、关断时间和安全工作区。经过几十年的发展，相继提出了 6代IGBT器件结构，使器件性能得到了稳步的提升。然而，对于IGBT器件，在通过电导调制效应使器件具有较低正向导通压降的同时，基区的非平衡电子空穴对的存储也使其关断速度明显减慢，限制了应用频率和增加了开关损耗，这成为IGBT器件进一步应用的主要障碍。近年来，随着逆变装置的快速发展，现有的IGBT结构已难以满足系统对高速IGBT器件的需求，迫切需要开发新的器件结构。同时，IGBT在工业领域的大规模应用，对器件的可本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种具有浮空埋层的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管的第一导电类型的漂移区（１４）内具有第二导电类型的埋层（２２）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张金平，李泽宏，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90