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本揭示提供双端口静态随机存取存储器(static?random?access?memory，以下简称为SRAM)单元的一实施例。双端口SRAM单元包括用以数据存储的交叉耦合的第一和第二反相器，每一个反相器包括一上拉装置(PU)和多个下拉装置...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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