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本发明提供一种能够不会使用正离子进行的蚀刻效率下降地，有效利用负离子且提高整体蚀刻效率的基板处理方法。该基板处理方法的特征在于：分别作为脉冲波施加等离子体RF和偏置RF，并依次反复进行以下步骤：一并施加等离子体RF和偏置RF，用等离子体中的...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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