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本发明公开了一种制备硅纳米结构材料或其阵列的方法。本发明方法包括下述步骤：以单晶硅为阳极，惰性电极为阴极，将所述阳极和阴极置于电解液中，并向所述电解液中加入与水不混溶的烃类溶剂；在所述阳极施加电流，进行电化学氧化反应，反应结束后得到所述硅纳...
该专利属于中国科学院理化技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院理化技术研究所授权不得商用。

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