一种可控制备硅纳米结构材料的电化学方法技术

技术编号:7007235 阅读:293 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种制备硅纳米结构材料或其阵列的方法。本发明专利技术方法包括下述步骤:以单晶硅为阳极,惰性电极为阴极,将所述阳极和阴极置于电解液中,并向所述电解液中加入与水不混溶的烃类溶剂;在所述阳极施加电流,进行电化学氧化反应,反应结束后得到所述硅纳米结构材料或其阵列;其中,所述电解液由质量浓度为10-30%的氢氟酸溶液、有机溶剂和催化剂组成;所述有机溶剂为甲醇、乙醇或它们任意比例的混合物,所述催化剂为多酸化合物、过氧化氢或它们的混合物;所述与水不混溶的烃类溶剂的密度小于水的密度。该方法通过调节催化剂种类以及电化学反应的电流密度,可实现多种硅纳米结构及其阵列的可控制备,对于硅纳米结构来说是一种通用的制备方法,简单易行。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
1.一种制备硅纳米结构材料或其阵列材料的方法,包括下述步骤:以单晶硅为阳极,惰性电极为阴极,将所述阳极和阴极置于电解液中,并向所述电解液中加入与水不混溶的烃类溶剂;在所述阳极施加电流,进行电化学氧化反应,反应结束后得到所述硅纳米结构材料或其阵列;其中,所述电解液由质量浓度为10-30%的氢氟酸溶液、有机溶剂和催化剂组成;所述有机溶剂为甲醇、乙醇或它们任意比例的混合物,所述催化剂为多酸化合物、过氧化氢或它们的混合物;所述与水不混溶的烃类溶剂的密度小于水的密度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:康振辉刘阳张晓宏李述汤
申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
类型:发明
国别省市:11

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