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本发明属于太阳能电池制造领域，具体涉及一种对单晶硅表面进行微结构化的方法，包括下述几个步骤：第一步：对单晶硅片进行清洗和亲水化处理；第二步：将单晶硅片置入酸腐蚀溶液中进行液态蚀刻，所述的酸腐蚀溶液为HF溶液与HNO3溶液的混合溶液；第三步：...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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