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复合纳米半导体Cl2敏感材料In2O3/Nb2O5/Pt的制备方法，它涉及一种Cl2敏感材料的合成方法。本发明解决了现有方法制作得到的敏感材料敏感性差，使得Cl2传感器普遍存在着功耗高，体积大，只能进行低浓度检测的问题。方法：一、原料混合得...
该专利属于哈尔滨理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨理工大学授权不得商用。

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