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本发明公开了一种EEPROM的栅极制造方法，所述方法包括如下步骤：第1步，在硅片表面淀积无掺杂的多晶硅；所述硅片中已具有隔离区和p阱，所述p阱中已具有n型重掺杂区，并且至少一个n型重掺杂区定义了所述浮栅晶体管的沟道长度；所述硅片表面已具有选...
该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。

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