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本发明提出了一种改善半导体器件的截止漏电流发散的方法，包括步骤，提供一衬底，所述衬底上形成有I/O?NMOS器件和核心NMOS器件；仅在所述核心NMOS器件的表面形成一层应力层；实施退火工艺。根据本发明，能够效地克服NMOS器件采用应力记忆...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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