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本发明公开了一种使用SMT工艺制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成栅氧化层和栅极；沉积侧墙氧化层和侧墙氮化硅层，并对侧墙氮化硅层进行刻蚀；在PMOS区域上形成PR层，进行N+离子注入；以PR层为掩膜，去除NMOS区域上的侧墙氧化层...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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