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本发明公开了一种互补金属氧化物半导体接触孔的填充方法及器件。其中，该方法包括：在晶圆表面形成光阻膜；对晶圆进行孔光刻处理以在晶圆的表面形成孔光刻图形；对晶圆分别进行各向同性刻蚀和各向异性刻蚀以在晶圆形成相连通的第一填充孔和第二填充孔；对相连...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。