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一种半导体器件及其制造方法，所述方法在形成栅堆叠后，在PMOS栅堆叠的侧壁形成第二侧墙缓冲层，所述第二侧墙缓冲层由疏松的低k介质材料形成；而后形成器件的侧墙及源漏/halo区和源、漏极区；而后在氧环境中高温退火，以使氧气环境中的氧气通过所述...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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