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本发明公开了一种降低金属氧化物半导体MOS管栅极寄生电阻的方法，以提高MOS管的开关速度。该方法包括：在金属氧化物半导体MOS管的源区层形成光刻版，所述光刻版设置有栅极引线孔区与源区对应的光刻窗口；对所述光刻版进行光刻处理并得到栅极引线孔区...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。