一种降低金属氧化物半导体管栅极寄生电阻的方法技术

本发明专利技术公开了一种降低金属氧化物半导体MOS管栅极寄生电阻的方法，以提高MOS管的开关速度。该方法包括：在金属氧化物半导体MOS管的源区层形成光刻版，所述光刻版设置有栅极引线孔区与源区对应的光刻窗口；对所述光刻版进行光刻处理并得到栅极引线孔区与源区对应的光刻区域；对所述栅极引线孔区与源区的光刻区域进行杂质注入处理；对所述MOS管进行介质层淀积处理，形成介质层；对所述介质层进行引线孔光刻处理，形成栅极引线孔；在所述形成有所述栅极引线孔的MOS管中生成栅极金属层。。采用本发明专利技术技术方案，降低了MOS管的栅极寄生电阻，提高了MOS管的开关速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体设计领域，尤其涉及一种降低MOS (Metal OxideSemiconductor 金属氧化物半导体)管栅极寄生电阻的方法。
技术介绍
DMOS (Double-diffused Metal Oxide Semiconductor，双扩散金属氧化物 半导体)技术是目前在半导体制造工艺中广泛应用的Power MOSFET(MetalOxide Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化层半导体场效晶体管)芯片制造技 术；IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极晶体管)技术是一种基于DMOS 技术的高压大电流Power Device芯片制造技术。该两种技术得到了越来越广泛的应用。一般情况下，DMOS与IGBT基于MOS管设计，MOS管包括两种结构类型一种为如 图IA所示的沟槽型，该种类型的MOS管包括栅极多晶硅层11、介质层12、栅极引线孔13、栅 极金属层14，其中栅极金属层14与栅极多晶硅层11的接触电阻可通过如图IA中的等效电 阻15示意；另一种为如图IB所示的平面型，本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种降低金属氧化物半导体管栅极寄生电阻的方法，其特征在于，包括：在金属氧化物半导体ＭＯＳ管的源区层形成光刻版，所述光刻版设置有栅极引线孔区与源区对应的光刻窗口；对所述光刻版进行光刻处理并得到栅极引线孔区与源区对应的光刻区域；对所述栅极引线孔区与源区的光刻区域进行杂质注入处理；对所述ＭＯＳ管进行介质层淀积处理，形成介质层；对所述介质层进行引线孔光刻处理，形成栅极引线孔；在所述形成有所述栅极引线孔的ＭＯＳ管中生成栅极金属层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：方绍明，王新强，张立荣，
申请(专利权)人：北大方正集团有限公司，深圳方正微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：11