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本发明公开了一种在碳化硅基底上外延生长的冷阴极场发射材料及方法，这种垂直站立的石墨烯条带通过生长过程中的压力和温度来控制其密度和长宽比，通过延长生长时间来增加条带高度或长度。这种垂直站立的高长宽比的纳米石墨烯条带做为冷阴极材料使用时，其阈值...
该专利属于中国科学院物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院物理研究所授权不得商用。

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