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本发明公开了一种光刻胶的去除方法，涉及集成电路元件制造领域，为解决现有技术去除光刻胶的操作周期较长，去除光刻胶的过程容易对晶片本身造成损伤的问题而发明。所述光刻胶的去除方法，包括：将等离子体刻蚀后的晶片，采用灰化工艺去除所述晶片上的残留光刻...该专利属于北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司授权不得商用。