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本发明公开了一种EEPROM的测试电路，包括四个晶体管和三个电阻；第一晶体管为PMOS，漏极连接内部高压端，衬底和源极相连接，源极通过第一电阻连接到外部高压端；第二晶体管为NMOS，漏极通过第一电阻连接到外部高压端，衬底和源极、栅极相连接并...
该专利属于上海华虹集成电路有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹集成电路有限责任公司授权不得商用。

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