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本发明提出了一种侧墙回刻方法，应用在具有栅极、栅氧化层、氧化层侧墙、氮化硅侧墙和金属硅化物的半导体衬底结构上，其中，所述栅氧化层和栅极依次位于半导体衬底上，氧化层侧墙位于所述栅极侧壁，氮化硅侧墙位于所述氧化层侧墙上，源极和漏极位于栅极两侧的...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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