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本发明提供一种栅氧化层制作方法，包括下列步骤：提供包含第一区域和第二区域的半导体衬底，在所述的半导体衬底上形成比预定厚度厚10埃至100埃的第一栅氧化层；在第一区域的第一栅氧化层上形成光刻胶层，以所述光刻胶层为掩膜，采用pH值在2至8的湿法...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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