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本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：对NMOS管的多晶硅栅极注入N型离子或锗Ge离子；同时对NMOS管和PMOS管的多晶硅栅极进行刻蚀；沉积第一功函数金属，并依次去除PMOS管中的第一功函数金属和剩余的多晶硅栅极，保留NMOS...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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