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一种栅极再氧化方法及半导体结构的制造方法。所述栅极再氧化方法，包括：在图案化栅电极层及栅极介电层形成栅极叠层结构后，进行氧化工艺，在栅极叠层结构及衬底表面形成氧化层，所述氧化工艺采用纯氧气体氛围，所述氧化工艺的温度小于或等于800℃。所述栅...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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