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本发明揭露了一种晶体管的形成方法，该方法包括：提供形成有栅极的半导体衬底；以所述栅极为掩膜，进行第一离子注入工艺，以在该栅极两侧的半导体衬底中形成轻掺杂区域；进行第一快速退火工艺；在所述栅极侧壁上形成侧墙；以所述栅极和所述侧墙为掩膜，进行第...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

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