温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底和浅隔离沟槽结构硅片，在PMOS和NMOS区域上形成栅氧化层和栅电极；在PMOS和NMOS的栅电极上分别形成间隙绝缘层，在衬底背面形成第一绝缘层；在间隙绝缘层上形成间隙壁，在第一绝缘层背面形成第二...
该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。