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一种器件包括硅衬底，以及在硅衬底之上并与其接触的Ⅲ-Ⅴ化合物半导体区域。该Ⅲ-Ⅴ化合物半导体区域与硅衬底具有U形界面，U形界面的半径小于大约1000nm。...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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