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本发明公开了一种半导体器件，包括：有源区，所述有源区具有侧壁，所述侧壁包括侧壁台阶；在所述侧壁台阶的表面之下形成的结；和被配置为与所述结相接触的掩埋位线。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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